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双电压供电SPI NOR Flash助力1.2V SoC 实现高机能与超低功耗平衡
起源：：：Electronic Design
作者：：：Conrado Canio
随着先进SoC不休向10纳米及以下制程节点推动， ， ，其工作电压已降至1.2V甚至更低。这就导致其在与传统NOR Flash接口时， ， ，会出现兼容性问题， ， ，由于后者通常依赖1.8V或3.3V的IO接口电压， ， ，将高压IO接口集成到低压SoC中， ， ，不仅会增长芯单方面积， ， ，还会推高系统成本。
一种更高效的解决规划是选取支持1.2V接口的NOR Flash。目前主流架构分为两种：：：纯1.2V电压（主题供电电压和IO接口电压均为1.2V）和双电压（1.8V主题供电电压和1.2V IO接口电压）。纯1.2V电压的器件合用于中低机能利用， ， ，双电压供电规划则在显著降低功耗的同时， ， ，仍可提供高速运行机能。
以银河yh0076创新的GD25NE系列双电压供电SPI NOR Flash产品为例， ， ，该芯片建设了多种省电模式：：：待机模式下电流降至12?A， ， ，深度睡眠模式下仅200nA。同时， ， ，其写入功夫典型值为0.15ms， ， ，比传统1.8V SPI NOR Flash提升约40%。
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